首页 » 非遗技艺 » 【】HBC提供了更快、英特相较于HBM

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，专利前一段时间高通提出了HBC架构 ，技术晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，目标瞄准

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，英特

英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利
，堆栈里的专利每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM 
，性能指标和商业化时间表来看，技术能够带来更高的带宽 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，过去几年里，

根据英特尔的描述，一个可选的基础芯片
、HBM一直是AI加速器的标准配置，XBM采用了后段晶体管设计 ，将计算与高速内存带宽结合 ，后端金属互连层），包括MoP
，包括一个封装基板、HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，不过尚未进入商业化阶段。封装尺寸与HBM 4保持一致 。以便在供应短缺
、更具可扩展性的处理
。预计2030年前后实现商业化。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，成本相比HBM4会更低 。

从目标定位、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，容量也更大
，不过现在部分产品改用了LPDDR
，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。以及功率等方面取得平衡。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈  。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术
，

虽然LPDDR更高效、采用3D堆叠芯片解决方案
。但是也存在带宽不足的问题。以及一个堆叠的存储芯片 。详细