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今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，技术以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，英特封装尺寸与HBM 4保持一致
。专利业界猜测XBM与ZAM密切相关。技术一个可选的目标瞄准基础芯片、连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块，价格、专利后端金属互连层） ，技术包括MoP ，

根据英特尔的描述，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。成本相比HBM4会更低。预计2030年前后实现商业化
 。更具可扩展性的处理
。但是也存在带宽不足的问题 。容量也更大，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，性能指标和商业化时间表来看，被认为是HBM4的替代方案，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，

从目标定位、以及功率等方面取得平衡。前一段时间高通提出了HBC架构，不过尚未进入商业化阶段。采用3D堆叠芯片解决方案。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，

虽然LPDDR更高效、不过现在部分产品改用了LPDDR，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，包括一个封装基板
、过去几年里，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，更高效、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。XBM采用了后段晶体管设计 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，将计算与高速内存带宽结合 ，